东微半导(688261.SH):第四代SiC MOSFET产品技术平台已完成研发
格隆汇9月9日丨东微半导(688261.SH)在互动平台表示,公司很早就已布局了SiC业务,以高性能电源应用方向为切入口,积极开展研发工作。公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已实现规模化量产,相关产品的性能指标和同类型竞品对比优
格隆汇9月9日丨东微半导(688261.SH)在互动平台表示,公司很早就已布局了SiC业务,以高性能电源应用方向为切入口,积极开展研发工作。公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已实现规模化量产,相关产品的性能指标和同类型竞品对比优
2022年初科创板上市,号称“充电桩芯片第一股”的东微半导,在过去几年穿越一轮功率半导体牛熊周期后,其股价已经从最高位的179.27元跌至如今的38.63元,跌幅近八成!
东微半导5月13日股价报收40.75元,较前一交易日下跌1.19%。当日成交量为21038手,成交金额8675.99万元。盘中最高触及42.04元,最低下探40.65元,振幅3.37%。